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三菱電機株式会社は、2026年6月4日、第5世代SiC-MOSFETチップ2品種のサンプル提供開始を発表しました。電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）向けインバーターおよびeAxle向け製品で、2026年6月下旬から順次提供を開始します。
低オン抵抗を約25％改善
今回開発された第5世代SiC-MOSFETチップは、独自のトレンチ構造を採用し、従来品比で約25％低いオン抵抗を実現しました。これにより電力変換時の損失を抑制し、業界トップクラスの性能を達成したとしています。
対象製品はEVやPHEVの駆動モーター用インバーター、eAxleに搭載されることを想定しており、電力変換効率向上による航続距離の延伸や電費改善につながることが期待されます。
xEV向けパワー半導体需要拡大に対応
SiC（炭化ケイ素）パワー半導体は、従来のシリコン半導体に比べて電力損失を大幅に低減できることから、電動車市場で採用が拡大しています。三菱電機は独自の製造プロセス技術により、長期間使用時の性能劣化やオン抵抗変動を抑制し、安定した品質を確保したとしています。
自動車の電動化が世界的に進む中、高効率なパワー半導体の需要は今後も拡大する見通しであり、インバーターやeAxleの小型化・高性能化を支える基盤技術として活用が広がりそうです。
出典：三菱電機ニュースリリース